大家好，今天我们来分析一只IGBT半导体股票——东微半导。
东微半导股票分析
东微半导的产品
东微半导公司采用Fabless的经营模式经营，主要产品是功率半导体器件：
- 高压超级结MOSFET：500V- 950V，1A-116A ，997个规格
- 中低压屏蔽栅MOSFET：25V-150V， 7A- 300A ，526个规格
- 超级硅MOSFET：600V-700V，5A-30A ，18个规格
- TGBT：650V-1350V，15A-120A，18个规格
东微半导的产品主要应用于新能源汽车充电桩、通信电源、光伏逆变器、新能源车车载充电机、数据中心服务器电源、快速充电器等。
东微半导的历程
2016年量产充电桩用高压超级结MOSFET器件，打破国外企业垄断。
2019年推出FSMOS中低压屏蔽栅MOSFET，SFGMOS系列进入电动车领域。
2020年推出超级硅系列。
2021年推出TGBT系列。
东微半导的财务数据
| 2022Q1 | 2021 | 2020 | 2019 | 2018 | |
| 营业收入 | 2.05 | 7.82 | 3.09 | 1.96 | 1.53 |
| 归属净利 | 0.477 | 1.47 | 0.277 | 0.091 | 0.13 |
| 营收同比 | 45.5 | 153.28 | 57.51 | 28.22 | -- |
| 净利同比 | 129.98 | 430.66 | 203.88 | -29.78 | -- |
2019年东微半导的毛利率大幅下降，股权激励费用，导致净利润大幅下滑。
2020年开始，公司毛利率回升，净利润恢复增长。
2021年行业进入景气阶段，东微半导营业收入和净利润大幅上升。
| 2021 | 2020 | 2019 | 2018 | |
| 高压超级MOSFET | 5.68 | 2.49 | 1.57 | 1.24 |
| 营收占比 | 72.70% | 80.66% | 80.28% | 81.48% |
| 中低压屏蔽栅MOSFET | 2.05 | 0.59 | 0.38 | 0.28 |
| 营收占比 | 26.3%% | 19.21% | 19.68% | 18.52% |
| 超级硅MOSFET | 215万 | 40.3万 | 8.3万 | |
| 营收占比 | 0.27% | 0.13% | 0.04% | |
| TGBT | 568.1万 | |||
| 营收占比 | 0.73% |
高压超级MOSFET是公司主力产品，2020年前营收占比超过80%，2021年降至72.7%。
2021年东微半导中低压屏蔽栅MOSFET大幅增长，占比达到26.3%。
还有超级硅MOSFET推出3年，营业收入增长缓慢。
2021年东微半导推出TGBT，当年收入达到568万，有望成为公司的一个增长极。
| 202Q1 | 2021 | 2020 | 2019 | 2018 | |
| 毛利率 | 32.93% | 28.72% | 17.85% | 14.93% | 26.38% |
2019国内晶圆代工市场产能紧张，晶圆采购单价上涨，导致毛利率下降。
2021年由于下游需求爆发，产品涨价导致毛利率上升。
| 2022Q1 | 2021 | 2020 | 2019 | 2018 | |
| 销售费用率 | 0.79% | 0.96% | 1.64% | 2.83% | 3.46% |
| 管理费用率 | 2.35% | 1.94% | 2.11% | 2.43% | 4.19% |
2018-2019年股权激励费用导致销售费用率和管理费用率大幅增长。
2020年会计z策调整，销售运费计入成本，加上股权激励费用结束，导致费用率大幅降低。
| 2021 | 2020 | 2019 | 2018 | |
| 经营现金流 | 1.3 | -0.375 | 0.39 | -0.589 |
| 存货 | 0.99 | 0.75 | 0.62 | 0.48 |
| 应收账款 | 1.04 | 0.74 | 0.27 | 0.13 |
| 营收占比 | 13.26% | 24.08% | 13.83% | 8.34% |
2020年经营现金流主要受到应收账款大幅上升影响。
2021年应收账款虽然大幅增长，但是营业收入占比降低，并且存货变动很小，导致现金流大幅增长。
2021年存货增加主要是原材料增加1800万，商品增加450万发出商品增加120万。
东微半导IPO
1、超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化项目
该项目总投资2.4亿，工期36个月。
8英寸第三代超级结MOSFET产品及12英寸工艺超级结MOSFET产品设计及工艺技术提升。
第三代高速屏蔽栅中低MOSFET 及高鲁棒性中低压MOSFET产品的设计工艺技术提升。
2、新结构功率器件研发及产业化项目
项目总投资1.07亿，工期36个月。
900V以下三栅IGBT、900V及以上三栅IGBT、车规级IGBT、12英寸制程IGBT产品系列的研发及产业化。
第一代及第二代超级硅MOSFET的研发及产业化。
新一代高速大电流功率器件系列600V/650V Hybrid-FET 器件的研发及产业化。
行业分析：
- 2020年中国高压超级结MOSFET市场规模4.2亿美元，公司份额8.6%。
- 2020年度中国中低压MOSFET市场规模24.1亿美元，公司份额0.4%。
- 沟槽 MOSFET将替代部分平面MOSFET；屏蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽 MOSFET；超级MOSFET 将在高压领域替代更多传统的VDMOS
- 100kW充电桩需要功率器件价值量200-300美元，随着充电桩的不断建设，功率器件尤其是超级结MOSFET将迎来高速发展。
- 功率器件的损耗约占总损耗30%~80%，超级结MOSFET拥有极低的FOM值，从而拥有极低的开关能量损耗和驱动能量损耗，超级结 MOSFET可以更好地满足5G基站建设需求。
- 电动车功率器件新增需求主要是：逆变器中的IGBT模块、DC/DC中的高压MOSFET、辅助电器中IGBT分立器件、OBC中超级结MOSFET。
东微半导产品优势
GreenMOS系列解决了常规超级结MOSFE成品良率低、开关波形震荡等问题。
TGBT是基于自研专利的新型结构IGBT，对器件结构设计创新，实现关键技术参数优化。600V 电压平台为例，东微 GreenMOS的FOM值3.5，仅仅高于英飞凌G7的2.95，略高于英飞凌的C7的3.72，远低于其他厂商，而东微超级硅的FOM达到2.53。
2021年，东微半导多个电压平台的高压超级结MOSFET、屏蔽栅 MOSFET已经在12寸产线实现量产。
东微半导股东
东微半导有14家创投持股，总持有2854万股。
苏州高维和得数聚才是公司员工持股平台，持有366万股。
核心员工参与的中金丰众40号资管计划参与战略配售1451052股。
东微半导股票分析总结
东微半导的高压超级结MOSFET性能指标大幅领先国内行业，具有很强的竞争能力。高压超级结MOSFET在充电桩、5G基站等的替代还在继续，应用还有很大潜力。
另外，东微半导的TGBT开始放量，有望成为业绩增量的新增力量，不过其IPO项目业绩贡献还需要等待。