一、光芯片产业链全景图
二、什么是光芯片
光芯片是光通信的 “信号翻译官”（负责光电转换），属半导体关键细分领域，其性能决定光通信传输效率 —— 像快递分拣中心定包裹配送速度。光纤、4G/5G、数据中心等网络系统里，它是传输速度与稳定性的核心担当。
核心结构分光芯片、电芯片两大件 —— 像快递站点里的 “收发岗” 与 “调度岗”。光芯片装在激光器（光信号源头）、探测器（光转电装置）中，负责光信号的发与收；电芯片是 “信号调度员”，涵盖放大器、驱动芯片等，管着电 / 光信号的转换与调控，确保传输稳当。
两类芯片协同运转，让光模块成了现代通信的关键组件，应用在交换机、光纤收发器等设备里。
光芯片分有源、无源两类，有源含激光器、探测器、调制器芯片；狭义光芯片特指激光器、探测器芯片 —— 技术门槛最高、价值占比最大，是领域 “双核心”。有源和无源市场份额对比为83%：17%。
光芯片是光模块的 “心脏”，其价值占比会随光模块速率提升而放大；自 1998 年起，光模块速率从 1.25Gbit/s 一路迭代至 800G（已成为智算中心标配），1.6T 成新焦点、3.2T 及更高规格也在推进。目前 EML 激光器芯片商用最高速率达 100G，DFB 和 VCSEL 达 50G，越是高速高端的光模块，光芯片的价值占比越突出。
三、上游产业链
光通信芯片以第二代半导体的磷化铟、砷化镓为核心材料：
磷化铟是中长距传输 “专精选手”，性能优，用于 FP/DFB/EML 激光器、PIN/APD 探测器，适配电信、数据中心中长距场景；
砷化镓是短距场景 “适配选手”，耐抗强，用于 VCSEL 激光器，覆盖数据中心短距、3D 感测领域。
此外，光芯片上游产业链含设计、基板制造等四环节，外延生长是高壁垒核心（靠 MOCVD 等技术，质量定芯片性能），目前主流厂商采用 IDM 一体化模式。
（1）衬底材料
半导体材料按出现时间分三代，其中 III-V 族化合物是通信领域的主力选手：
- 一代是单元素半导体（硅、锗），硅像电子产业的 “通用建材”—— 最常见、成本低、应用最广，是行业基础盘；
- 二代是 III-V 族化合物（砷化镓、磷化铟），是通信领域的 “专精部件”—— 高电子迁移率 + 出色光电性能，精准适配通信场景；
- 三代是宽禁带半导体（氮化镓、碳化硅），像 “高端特种器件”—— 禁带宽、耐压大功率，但目前成本较高。
在高频、高功耗、发光等场景中，III-V 族（二代）半导体是 “性能选手”，比硅基（一代）优势突出：高功耗下，它做的芯片线性度更稳、抗辐射能力更强；面对高频微波，其响应速度更快，能更高效转成电流。
硅基芯片是 “低功耗场景的常规选手”，发展靠制程节点升级；三代半导体则是 “高温高压的硬核选手”，这类场景下表现更优。
光通信领域主打二代材料：磷化铟是 “中长距传输的长跑选手”—— 导热、光电转换 / 传输效率出色，用于边发射激光器、探测器芯片，适配电信、数据中心的中长距传输；砷化镓是 “短距传输的短跑选手”—— 光电性能优、耐热抗辐射，用于面发射激光器、射频模组，覆盖数据中心短距场景。
下游需求推着磷化铟衬底市场持续扩容。据预测：2026 年全球折二英寸的磷化铟衬底销量将达 128.19 万片，2019-2026 年复合增速 14.40%（像爬坡式稳步增长）；同期市场规模将达 2.02 亿美元，复合增速 12.42%。
四、中游产业链
（1）成本拆分
光芯片是光模块的 “核心心脏”—— 速率越高，它在光模块里的价值占比越大。
以激光器芯片为例，光芯片成本分三类：制造费用（占 62.23%，是成本大头，含折旧、水电等）、直接人工（25.13%）、直接材料（12.64%）。直接材料里衬底是主力（占 27.21%），但近年占比下滑 —— 源于衬底单价下降 + 国产替代，像进口零件国产化后，成本占比自然走低。
（2）行业模式
国际主流光芯片厂商是 “全产业链闭环玩家”—— 基本采用 IDM 模式，即集芯片设计、衬底外延、制造、封测于一体。因光芯片是特色工艺，不靠尺寸缩小提价值，所以龙头选一体化模式。
对比设计 + 代工模式，IDM 像 “自主掌控整条生产线的工厂”：既能灵活响应市场，快速调产品、改工艺（无需重购设备），又能精准定位从设计到封测的问题；它能保产能，但投入大、有产能闲置风险。而 Fabless 像 “轻资产代运营”，成本低、反应快，却受限于代工产能 —— 两者无绝对优劣。
（3）市场份额
国内光芯片市场借政策东风 + 下游需求，踩足增长油门：2015 年规模仅 5.56 亿美元，到 2022 年已滚雪球式扩至 17.19 亿美元，7 年复合增速 14.93%。2017 年行业路线图明确：2022 年 25G 及以上 DFB 激光器芯片国产化率超 60%，是国产替代的清晰路标。
5G设备升级、数据中心更新构成 “双增长引擎”，2022 年后复合增速仍稳在 14.91%，2026 年市场规模有望冲至 29.97 亿美元。
目前光芯片市场靠三重逻辑扩容：
- 速率升级：AI 推光通信速率从 25Gbps 升向 100Gbps，加速 200G 商用，数据中心、5G 等场景正处速率换代窗口；
- AI 基建：AI 需求催热数据中心、城域网建设，叠加接入网向 50G PON 演进，撑开光芯片增量空间；
- 供给破圈：厂商技术 + 扩产，光芯片延伸至传感（环境检测）、汽车激光雷达（核心部件）等新场景，需求同步增长。
（4）竞争格局
全球 AI 通信光芯片市场里，国际巨头是 “高端赛道领跑者”—— 凭技术积累、研发实力 + 全球化布局主导市场，主攻高速率、长距离传输，能自主完成芯片设计、晶圆外延等关键工序，量产 25G 及以上光芯片。高意、朗美通、博通等整合型厂商是 “核心玩家”，占据全球高端光芯片市场 80% 份额，日企等为补充选手。
中国光芯片是 “后起追赶者”：虽起步晚，但靠庞大市场需求 + 政策支持实现突破 —— 低速（2.5G/10G）光芯片领域已基本完成国产替代，不过高速（25G 及以上）市场仍由海外龙头把控。国内代表企业包括华为海思、源杰科技、光迅科技等 A 股及本土厂商。
（5）光芯片新发展方向
硅光技术是光通信的 “集成化引擎”：以 SOI 晶圆为衬底，借硅 CMOS 工艺集成光子器件，靠激光传数据，结合 CMOS 集成优势与光子高速低耗特点，推动通信革新。
其核心器件分工明确：光源是能量起点，光波导是光信号通道，调制器调控信号，探测器完成光电转换，流程为 “光源→光波导→调制器→探测器”。
硅光技术正处第二阶段（转向单片集成），未来将迈向光电全集成、可编程芯片；据 Yole 预测，2027 年全球硅光芯片市场达 9.7 亿美元，2021-2027 年复合增速 36.2%。
硅光芯片是器件单片集成体，包含发送、接收等集成芯片及探测器 / 调制器阵列芯片；硅光产业已进入加速期，据 Intel 数据，其技术在 2019 年就实现了速度提 8 倍、能耗降 85%、成本降 84%；而硅光模块是光源、硅光器件 / 芯片、驱动电路的集成体，高集成度像 “紧凑功能盒”，能带来更小尺寸、更低功耗与成本。
五、下游产业链
（1）光纤接入
千兆光纤建设是光芯片用量的 “助推器”——FTTx 光纤接入是全球光模块用量核心场景之一，中国是其主力推动者：三大运营商投千兆宽带，2019-2023 年国内千兆宽带用户从 84 万增至 1.63 亿，占比从 0.19% 提至 25.66%，光纤接入从百兆向千兆升级。
PON 技术是光纤接入的 “经济实用主力”—— 成本低、维护简、可靠性强，当前主流 EPON/GPON 用 1.25G/2.5G 光芯片，正向 10G-PON（对称 10Gbps，适配高速宽带）过渡。
（2）AI数据中心
互联网、云计算带起数据中心扩容，光芯片是关键 —— 其内部数据量远大于外传，处理复杂度走高。Synergy Research 显示，2020 年全球主流云企超大规模数据中心达 597 个（2015 年的两倍），中国占 10% 排第二。
光模块是数据中心互联的 “核心血管件”：LightCounting 数据显示，2019 年其市场 35.04 亿美元，2025 年预计达 73.33 亿，年复合增速 13.09%。
（3）高速率传输
高速传输需求成 “催化剂”，25G 及以上光芯片成刚需选手 ——Omdia 预测，2019-2025 年这类光芯片的市场将从 13.56 亿美元爬坡式扩至 43.40 亿美元，年复合增速 21.40%，在光芯片市场的占比持续扩大。
